机译:纳米压印光刻的表面制备和图案化,用于在Si(111)上选择性生长GaAs纳米线
机译:无光刻的氧化物图案作为模板,用于在Si(111)上自催化生长高度均匀的GaAs纳米线
机译:梯形和三角形GaAs纳米线的六边形网络在图案化(111)B衬底上的选择性MBE生长
机译:111 B图案化衬底上形状,尺寸和位置控制的GaAs纳米线网络的选择性MBE生长
机译:一维硅纳米线的细胞响应以及在纳米线生长之前用氢氟酸蚀刻硅(111)基板的效果。
机译:通过Au辅助分子束外延生长后的GaAs(111)纳米线和Si(111)衬底之间的晶格参数调节
机译:勘误:使用纳米压印光刻技术从大面积表面获得纳米线生长的图案保真度的策略(Nano Research,(2016),9,10,(2852-2861),10.1007 / s12274-016-1165-z)
机译:基于红外脉冲激光加热的纳米图案混合纳米压印光刻法