机译:一种新的分析方法,以通过短波长谱激励准稳态光电电导电测量确定硅晶片的硅晶片表面上的表面重组速度
机译:通过催化化学气相沉积制备的非晶硅插入层的扫描透射电子显微镜分析,导致晶体硅晶片上的表面重组速度低
机译:通过催化化学气相沉积的SiNx / a-Si叠层钝化层实现的晶体硅晶片上极低的表面复合速度
机译:使用催化生成的自由基对晶体硅进行表面处理,从而实现极低的表面复合速度
机译:硅光生伏打材料中非接触光谱的体寿命和表面复合速度的光谱测量。
机译:钝化中的超低表面复合速度InGaAs / InP纳米柱
机译:一种新的分析方法,以通过短波长谱激励准稳态光电电导电测量确定硅晶片的硅晶片表面上的表面重组速度
机译:2.5(Ω)cm硅晶片表面复合速度非常低,采用si氧化物和si氮化物的低温pECVD得到