Spin-active devices based on graphene/WSe2 heterostructures

机译：基于石墨烯/ WSE2异质结构的旋转活性器件

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A. Mreńca-Kolasińska; B. Rzeszotarski; B. Szafran;
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年度 2018
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1. Spin-active devices based on graphene/WSe2 heterostructures [J] . Mrenca-Kolasinska A., Rzeszotarski B., Szafran B. Physical review, B . 2018,第4期

机译：基于石墨烯/ WSE2异质结构的旋转活性器件
2. Spin-active devices based on graphene/WSe_2 heterostructures [J] . A. Mrenca-Kolasinska, B. Rzeszotarski, B. Szafran Physical review. B, Condensed Matter And Materals Physics . 2018,第4期

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3. Versatile Electronic Devices Based on WSe2/SnSe2 Vertical van der Waals Heterostructures [J] . Li Wei, Xiao Xiang, Xu Huilong ACS applied materials & interfaces . 2019,第33期

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