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【2h】

A Single-Electron Injection Device for CMOS Charge Qubits Implemented in 22-nm FD-SOI

机译：用于CMOS充电QUBITS的单电子注入装置，在22-NM FD-SOI中实现

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Imran Bashir; Elena Blokhina; Ali Esmailiyan; Dirk Leipold; Mike Asker; Eugene Koskin; Panagiotis Giounanlis; Hongying Wang; Dennis Andrade-Miceli; Andrii Sokolov; Anna Koziol; Teerachot Siriburanon; R. Bogdan Staszewski;
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年度 2020
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1. Design of E- and W-Band Low-Noise Amplifiers in 22-nm CMOS FD-SOI [J] . IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2020,第1期

机译：22 nm CMOS FD-SOI中的E和W波段低噪声放大器的设计
2. A 1.7-dB Minimum NF, 22–32-GHz Low-Noise Feedback Amplifier With Multistage Noise Matching in 22-nm FD-SOI CMOS [J] . Cui Bolun, Long John R. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2020,第5期

机译：具有22-NM FD-SOI CMOS中多级噪声匹配的1.7 dB最小NF，22-32-GHz低噪声反馈放大器
3. CMOS imagers can be charge-coupled: techniques exist to add charge coupling to CMOS imagers, bringing the low-noise advantages of charge coupling to low-cost CMOS devices [J] . James Janesick Laser Focus World: The Magazine for the Photonics & Optoelectronics Industry . 2003,第1期

机译：CMOS成像器可以进行电荷耦合：现有的技术可以增加CMOS成像器的电荷耦合，从而为低成本CMOS器件带来电荷耦合的低噪声优势
4. GIDL-induced charge injection for characterization of plasma edge damage in CMOS devices [C] . Brozek, T., Sridharan, . 1997

机译：GIDL诱导的电荷注入用于表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏
5. Room-temperature single-electron devices based on CMOS fabrication technology [D] . Ray, Vishva 2008

机译：基于CMOS制造技术的室温单电子器件
6. Beyond CMOS: heterogeneous integration of III–V devices RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems [O] . Thomas E. Kazior -1

机译：超越CMOS：III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
7. Charge injection using gate-induced-drain-leakage current for characterization of plasma edge damage in CMOS devices [O] . BROZEK T, RAMGOPAL RAO V, SRIDHARAN A, 1998

机译：使用栅极感应的漏极泄漏电流进行电荷注入，以表征CMOS器件中的等离子体边缘损坏

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