机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT上的漏极电流不稳定性现象
机译:肖特基门P-Gan / AlGan / GaN Hemts常关操作的设计考虑因素
机译:具有反向阻挡漏极的单向AlGaN / GaN-on-Si HFET
机译:使用高2DEG密度的AlGaN / GaN源极/漏极在硅衬底上的凹栅GaN MOSFET的常关操作
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:具有铟 - 氧化铟锡栅电极的P-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的示范