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【2h】

Role of MOSFETs Transconductance Parameters and Threshold Voltage in CMOS Inverter Behavior in DC Mode

机译：MOSFET跨导参数和阈值电压在DC模式下CMOS逆变器行为中的作用

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Milaim Zabeli; Nebi Caka; Myzafere Limani; Qamil Kabashi;
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年度 2017
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1. Role of the threshold voltage and transconductance parameters of NMOS transistors in NMOS inverter performance for static and switching conditions of operation [J] . MILAIM ZABELI, NEBI CAKA, MYZAFERE LIMANI, WSEAS Transactions on Circuits and Systems . 2014,第Null期

机译：NMOS晶体管的阈值电压和跨导参数在NMOS逆变器性能中对于静态和开关操作条件的作用
2. Stable Extraction of Threshold Voltage Using Transconductance Change Method for CMOS Modeling, Simulation and Characterization [J] . Woo Young CHOI, Dong-Soo Woo, Byung Yong CHOI, Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters . 2004,第4BPt1期

机译：使用跨导变化方法稳定提取阈值电压，用于CMOS建模，仿真和表征
3. A 2D Transconductance and Sub-threshold behavior model for triple material surrounding gate (TMSG) MOSFETs [J] . P. Suveetha Dhanaselvam, N.B. Balamurugan, V.N. Ramakrishnan Microelectronics journal . 2013,第12期

机译：用于三层材料环绕栅极（TMSG）MOSFET的2D跨导和亚阈值行为模型
4. Impact of the threshold voltage and transconductance parameters of NMOS transistors in NMOS inverter performance for static conditions of operation [C] . MILAIM ZABELI, NEBI CAKA, MYZAFERE LIMANI, International Conference on Telecommunications and Informatics . 2013

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5. Design and analysis of double-gate CMOS for low-voltage integrated circuit applications, including physical modeling of silicon-on-insulator MOSFETs. [D] . Kim, Keunwoo. 2001

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