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【2h】

Atomic Layer Deposition Grown Zinc-Oxide Based MIS-Type Schottky Barrier Diode

机译：基于原子层沉积种植的锌氧化物的MIS型肖特基势垒二极管

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Nuriye Kaymak; Esra Efil; Elanur Seven; Adem Tataroğlu; Sema Bilge Ocak; Elif Öz Orhan;
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年度 2018
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3. SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes [J] . Wang Yue-Hu, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, 中国物理：英文版 . 2010,第003期
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