机译:在高纵横比结构中进行薄Si3N4蚀刻时,离子和中性传输的考虑
机译:用Ar和CHF_3等离子体对SiO_2进行原子层刻蚀:一种与纵横比无关的自限制刻蚀工艺
机译:直流增强电容耦合等离子体中的高能电子通量。二。高纵横比电介质蚀刻对扭曲的影响
机译:通过印刷技术通过在RDL电介质上形成电μM直径高纵横比,通过在RDL电介质上形成1μm直径的高纵横比通过印刷技术的形成
机译:耦合到其他领域的弹性体的断裂力学方面(裂纹,介电,与路径无关的积分,守恒律,热弹性断裂)
机译:侧壁转移金属辅助化学蚀刻法制备超高纵横比( 420:1)Al2O3纳米管阵列
机译:电介质的纵横比独立蚀刻