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【2h】

2D-Hydrodynamic Energy Model Including Avalanche Breakdown Phenomenon for Power Field Effect Transistors

机译：2D - 流体动力能量模型，包括电源场效应晶体管的雪崩击穿现象

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M. Rousseau; J. C. De Jaeger;
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年度 2001
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1. 2D-Hydrodynamic Energy Model IncludingAvalanche Breakdown Phenomenon for PowerField Effect Transistors [J] . M.Rousseau, J. C.De Jaeger VLSI Design . 2001,第1a4期

机译：包含雪崩击穿现象的2D流体动力能模型，用于功率场效应晶体管
2. The interdependence between the collapse phenomenon and the avalanche breakdown in AlGaAs/GaAs power heterojunction bipolar transistors [J] . Liu W. IEEE Transactions on Electron Devices . 1995,第4期

机译：AlGaAs / GaAs功率异质结双极晶体管的崩溃现象与雪崩击穿之间的相互依赖性
3. Avalanche Breakdown Energy in Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors [J] . Miguel Hinojosa, Stephen Bayne, Victor Veliadis, Materials science forum . 2012,第PTa2期

机译：碳化硅结场效应晶体管中的雪崩击穿能量
4. 2 D-hydrodynamic energy model including avalanche breakdown phenomenon for power field effect transistors [C] . Rousseau, M., De Jaeger, . 2000

机译：包含雪崩击穿现象的2 D流体动能模型，用于功率场效应晶体管
5. Gallium Oxide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Analytical Modeling and Power Transistor Design Trades [D] . Moser, Neil Austin. 2017

机译：氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管的分析建模和功率晶体管设计行业
6. Proton Irradiation Effects on the Time-Dependent Dielectric Breakdown Characteristics of Normally-Off AlGaN/GaN Gate-Recessed Metal-Insulator-Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors [O] . Dongmin Keum, Hyungtak Kim 2019

机译：质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
7. Temperature dependence of breakdown and avalanche multiplication in In0.53Ga0.47As diodes and heterojunction bipolar transistors ud [O] . Yee M., Ng W.K., David J.P.R., 2003

机译：In0.53Ga0.47as二极管和异质结双极晶体管的击穿和雪崩倍增的温度依赖性
8. Examination of Temperature Effects on Gate-to-Drain Avalanche Breakdown in GaAs MESFETs (Metal-Semiconductor Field Effect Transistors) by Measuring Light Emission under RF Drive [R] . Robb, R. E. 1987

机译：通过测量射频驱动下的发光，检测温度对Gaas mEsFET（金属 - 半导体场效应晶体管）中栅极 - 漏极击穿击穿的影响

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