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机译:垂直磁化隧道连接的旋转传递扭矩切换的后跳
T. Devolder; O. Bultynck; P. Bouquin; V. D. Nguyen; S. Rao; D. Wan; B. Sorée; I. P. Radu; G. S. Kar; S. Couet;
机译:通过在垂直磁隧道结中结合电场和自旋转移转矩效应进行磁化切换
机译:垂直磁隧道结中电场和自旋转矩的感应磁化转换的仿真
机译:旋转扭矩传递诱导磁隧道结电池磁化切换后的背跳
机译:自旋传递转矩在磁隧道结中引起振荡和切换。
机译:垂直磁隧道结的磁化转换中面内和面外自旋传递扭矩的各自影响
机译:垂直磁化膜的先驱结构,垂直磁化膜结构和制造相同方法的方法,垂直磁化型隧道磁阻薄膜使用这种方法和制造方法,利用这种方法的连续性
机译:自旋轨道转矩(SOT)磁性隧道结(MTJ)(SOT-MTJ)器件,采用垂直和平面内自由层磁各向异性来促进垂直磁取向转换,适用于存储数据的存储系统
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