首页> 外文OA文献 >The effects of interfacial sub-oxide transition regions and monolayer level nitridation on tunneling currents in silicon devices

【2h】

The effects of interfacial sub-oxide transition regions and monolayer level nitridation on tunneling currents in silicon devices

机译：界面亚氧化物过渡区和单层级氮化对硅装置隧穿电流的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
H. Numi; J.W. Keister; G. Lucovsky; J.E. Rowe;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2000
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. The effects of interfacial sub-oxide transition regions and monolayer level nitridation on tunneling currents in silicon devices [J] . Hanyang Yang, Numi H. IEEE Electron Device Letters . 2000,第2期

机译：界面亚氧化物过渡区和单层水平氮化对硅器件隧穿电流的影响
2. The effects of interfacial suboxide transition regions on direct tunneling in oxide and stacked oxide-nitride gate dielectrics [J] . H. Yang, H Niimi, Y. Wu Microelectronic Engineering . 1999,第1a4期

机译：界面亚氧化物过渡区对氧化物和堆叠氧化物-氮化物栅电介质中直接隧穿的影响
3. Characterization of the charge trapping properties in p-channel silicon-oxide-nitride-oxide-silicon memory devices including SiO2/Si3N4 interfacial transition layer [J] . Chiu Yung-Yueh, Yang Bo-Jun, Li Fu-Hai, Japanese journal of applied physics . 2015,第10期

机译：包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
4. The effects of interfacial suboxide transition regions on direct tunneling in oxide and stacked oxide-nitride gate dielectrics [C] . H. Yang, H Niimi, Y. Wu, Symposium on Ultrathin SiO_2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A. . 1999

机译：界面亚氧化物过渡区对氧化物和堆叠氧化物-氮化物栅电介质中直接隧穿的影响
5. Improving the stability of high and low bandgap polymers organic photovoltaic devices using a solution based titanium sub-oxide interfacial layer. [D] . Foe, Kurniawan. 2013

机译：使用基于溶液的钛亚氧化物界面层提高高和低带隙聚合物有机光伏器件的稳定性。
6. Catalytic Effects of Cr on Nitridation of Silicon and Formation of One-dimensional Silicon Nitride Nanostructure [O] . Feng Liang, Lilin Lu, Liang Tian, -1

机译：Cr对硅的氮化和一维氮化硅纳米结构形成的催化作用
7. Interfacial interaction in monolayer transition metal dichalcogenides (MX2)/metal oxide heterostructures and its effects on electronic and optical properties: The case of MX2/CeO2 [O] . Yang, Ke, Huang, Wei-Qing, Hu, Wangyu, 2016

机译：单层过渡金属二硫属化物中的界面相互作用（mX2）/金属氧化物异质结构及其对电子和光学的影响特性：mX2 / CeO2的情况

The effects of interfacial sub-oxide transition regions and monolayer level nitridation on tunneling currents in silicon devices

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅