Reduction of switching time in pentalayer magnetic tunnel junctions with a composite-free layer

机译：减少具有不同偏置配置的五层纳米柱器件的切换时间

机译：自旋传递扭矩（STT）MRAM的磁性隧道结中使用倾斜磁各向异性的参考层降低开关电流的提案

机译：在磁性隧道结中使用MgO覆盖层降低开关电流

机译：在磁性隧道结中使用复合自由层减少开关时间和电流

机译：垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究

机译：具有大隧道磁阻的原子厚钨工程垂直磁隧道结中的电流感应磁化转换

机译：mgO势垒磁隧道中的电流感应磁化转换   与基于CoFeB的合成亚铁磁自由层的结

机译：具有具有改善的磁开关特性的磁隧道结的半导体装置及其形成方法（具有改善的磁开关特性的磁隧道结）

机译：存储器单元，其制造方法，多层存储器，高容量存储设备，集成电路，基板携带微电子设备，电子设备，磁隧道结存储单元以及使用该存储单元的存储器的方法和用于存储设备的方法磁性隧道连接记忆细胞及减小连接部位的缺陷产生率

机译：带有SKYRMIONIC辅助层的垂直磁隧道结装置，可自由切换