机译:具有加速坩埚旋转技术的行进加热器法的探测器级CD0.9Zn0.1te晶体的生长和表征
机译:行进加热法对坩埚旋转和磁场对SiGe生长影响的数值模拟研究
机译:体三元半导体的晶体生长:水平布里奇曼法和水平行进加热器法GaInSb生长的比较
机译:移动加热器法对SiGe生长中的旋转自转和磁场影响的数值模拟研究
机译:通过行进加热法(THM)了解单晶碲化镉锌(CZT)生产中的生长速率限制
机译:太赫兹辐射在Hg1-的拓扑和琐碎相中诱导的非平衡电子传输碲化镉
机译:在加速坩埚旋转条件下通过行进加热器方法生长Hg1-xCdxTe单晶
机译:用行走加热器法智能生长HgCdTe。