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Etching of lithium niobate using standard Ti indiffusion technique

机译:使用标准Ti扩散技术蚀刻铌酸锂

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摘要

We present evidence of etching LiNbO3 when annealing two wafers in contact with an intermediate Ti strip. Etched features are characterized qualitatively using atomic force microscopy. The impact of the Ti strip thickness on the depth and roughness of the etched surface is quantified. Etched trenches of similar depths to the original Ti film are achieved with very smooth etched surface.
机译:当退火与中间Ti条带接触的两个晶片时,我们提供了蚀刻LiNbO3的证据。使用原子力显微镜对刻蚀的特征进行定性表征。量化了Ti带厚度对蚀刻表面的深度和粗糙度的影响。具有非常光滑的蚀刻表面,可获得与原始Ti膜深度相似的蚀刻沟槽。

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