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【2h】

Solid-State Imaging in Standard CMOS Processes

机译：标准CmOs工艺中的固态成像

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Durini Romero Daniel;
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年度 2009
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1. Time-of-Flight 3-D Imaging Pixel Structures in Standard CMOS Processes [J] . Durini D., Brockherde W., Ulfig W., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2008,第7期

机译：标准CMOS工艺中的飞行时间3D成像像素结构
2. Pn photodiodes for pulsed laser rangefinding applications realized in standard CMOS/BiCMOS processes [J] . Pasi Palojarvi, Tarmo Ruotsalainen, Juha Kostamovaara Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2001,第3期

机译：在标准CMOS / BiCMOS工艺中实现用于脉冲激光测距应用的Pn光电二极管
3. First measurement of the in-pixel electron multiplying with a standard imaging CMOS technology: Study of the EMCMOS concept [J] . Timothee Brugiere, Frederic Mayer, Pierre Fereyre, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A, Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment . 2015,第jula1期

机译：使用标准成像CMOS技术的像素内电子倍增的首次测量：EMCMOS概念的研究
4. Kir ana: a solid-state megapixel uCMOS image sensor for ultra-high speed imaging [C] . J. Crooks, B. Marsh, R. Turchetta, Sensors, cameras, and systems for industrial and scientific applications XIV . 2013

机译：Kir ana：用于超高速成像的固态百万像素uCMOS图像传感器
5. Adaptation in standard CMOS processes with floating gate structures and techniques. [D] . Wong, Yanyi Liu. 2007

机译：通过浮栅结构和技术适应标准CMOS工艺。
6. CMOS Image Sensors and Plasma Processes: How PMD Nitride Charging Acts on the Dark Current [O] . Yolène Sacchettini, Jean-Pierre Carrère, Romain Duru, 2019

机译：CMOS图像传感器和等离子体工艺：PMD氮化物充电如何在暗电流上作用
7. Paper Demonstrations of Polarization Imaging Capability and Novel Functionality of Polarization-Analyzing CMOS Image Sensor with 65 nm Standard CMOS Process [O] . Takashi Tokuda, Kiyotaka Sasagawa, Norimitsu Wakama, 2014

机译：论文偏振成像能力和具有65nm标准CMOS工艺的偏振分析CMOS图像传感器的新功能的示范
8. Image Sensing Using Standard CMOS Techniques [R] . Jansson, C. 1992

机译：使用标准CmOs技术进行图像感应

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