机译:SI2H6-B2H6-N-2气系统用新型低压化学气相沉积法制得的掺硼现场多晶硅硅膜
机译:通过低压化学气相沉积法生长的非晶硅太阳能电池掺杂硼的ZnO薄膜具有增强的电学和光学特性
机译:掺杂剂浓度和衬底类型对低压化学气相沉积硅烷和三氯化硼原位掺硼硅薄膜局部组织的影响
机译:掺杂多晶硅:在高掺杂水平的情况下,生长动力学和低压化学气相沉积膜的结构研究
机译:使用直流等离子体等离子体增强化学气相沉积法合成化学计量的氢化非晶碳化硅薄膜。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:热退火对低压mOCVD制备氧化铝薄膜性能的影响
机译:远程等离子体增强化学气相沉积法生长非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。最终分包合同报告,1989年7月1日 - 1992年12月31日