Damage enhanced diffusion of impurities in semiconductors.

机译：Damage enhanced diffusion of impurities in semiconductors.

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by Lo Veng Cheong.

机译：罗文昌

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年度 1991
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1. Diffusion Growth Model of Doping-impurity Longitudinal Profile in Grown Material by MOCVD and Chloride VPE [J] . 半导体光子学与技术（英文版） . 1998,第003期
2. Simulation and visualization experiment of manganese ion diffusion and damage to gel in a porous media-gel system [J] . GU Chunyuan, QIN Rongsheng, DI Qinfeng, 石油勘探与开发:英文版 . 2019,第002期
3. White matter connectivity damage secondary to hippocampal and amygdala target injuries in acute limbic encephalitis Diffusion tensor image and voxel-based morphometry paired study [J] . Ling Zou, Wei Deng, Hehan Tang, 中国神经再生研究（英文版） . 2009,第011期
4. Low-temperature anomalies of the mobility and Shubnikov-de Haas oscillations due to electron resonance scattering on donor impurities in semiconductors. Explanation based on the Friedel approach [J] . V. I. Okulov, L. D. Sabirzyanova, K. S. Sazonova, Low temperature physics: Simultaneous Russian - English publication . 2004,第4期

机译：由于电子在半导体供体杂质上的共振散射，导致迁移率和Shubnikov-de Haas振荡的低温异常。基于Friedel方法的解释
5. The effects of impurity diffusion and surface damage on oxygen precipitation in silicon [J] . Journal of Applied Physics . 1983,第1期

机译：杂质扩散和表面损伤对硅中氧沉淀的影响
6. On the determination of diffusion coefficients in two-component alloys and doped semiconductors. Several implications concerning the International Space Station [J] . O. Sanchez, X. Ruiz, M. Pujalte, International Journal of Heat and Mass Transfer . 2015,第jula期

机译：在确定二元合金和掺杂半导体中的扩散系数时。关于国际空间站的若干影响
7. Typical electron beam doping (superdiffusion) of impurity atoms in damage-free regions of semiconductors by the kick-out mechanism [C] . Wada, T., Fujimoto, . 2000

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机译：拨号操作者方法，用于模拟半导体中的杂质扩散。
9. Molecular Dynamics Simulations of Molecular Diffusion Equilibrium and Breakdown Mechanism of Oil-Impregnated Pressboard with Water Impurity [O] . Yi Guan, Ming-He Chi, Wei-Feng Sun, 2018

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10. Impurity-Concentration Profile for an Exponentially Decaying Diffusion Coefficient in Irradiation Enhanced Diffusion [O] . Kowall, J, Peak, David, Corbett, J W 1976

机译：辐射增强扩散过程中指数衰减扩散系数的杂质浓度分布图
11. The Use of Ion Implantation for the Control of Impurity Diffusion in III-V Compound Semiconductors. [R] . gibbons,james f. 1975

机译：离子注入在控制III-V化合物半导体杂质扩散中的应用。

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