机译:研究用于InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中自对准源极/漏极触点形成的Pd-InGaAs
机译:具有肖特基接触和掺杂源/漏接触的碳纳米管场效应晶体管的传输特性比较
机译:用于无注入锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的锗化镍肖特基源极/漏极触点的低温制备和表征
机译:以半导体为源/漏接触材料的高性能碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)和基于CNTFET的电子电路的制造
机译:硅化铂源漏场效应晶体管的物理技术
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制
机译:源/漏电极接触对底部接触并五苯场效应晶体管的稳定性的影响