Методика оценки коэффициента поглощения лазерного излучения в борсодержащих алмазах по интенсивности его комбинационного рассеяния

摘要

Представлены результаты измерений при комнатной температуре на воздухе комбинационного рассеяния света (КРС) в синтетических монокристаллах алмаза: пяти, легированных атомами бора (с концентрацией 2·1017; 6·1017; 2·1018; 1,7·1019; 1·1020 см–3), и одном специально нелегированном. Для возбуждения КРС использовался лазер с длиной волны излучения 532 нм. Построены зависимости интегральной интенсивности и полуширины линии КРС кристаллической решеткой алмазов от степени легирования. В приближении геометрической оптики получено соотношение между интегральными интенсивностями КРС легированного и нелегированного образцов. Проведены количественные оценки коэффициента поглощения света исследованных образцов по данным КРС. Результаты работы могут быть использованы для картирования коэффициента поглощения лазерного излучения в приповерхностной области синтетических кристаллов алмаза и контроля их качества.