机译:用于超低功耗低噪声放大器应用的InAs通道高电子迁移率晶体管
机译:F L-G = 20nm高性能GaAs基材基质的变质金属氧化物半导体高电子移动性晶体管,用于下一代高速低功率应用
机译:使用伪晶型InGaAs沟道高电子迁移率晶体管的低功耗高速SCFL逆变器
机译:具有回流亚微米T型栅极的变质高电子迁移率晶体管,用于高速光电应用
机译:增强和耗尽型高电子迁移率晶体管的单片集成,适用于晶格匹配的磷化铟材料系统中的低功耗和高速电路应用。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:扩展Si CMOS:InGaAs和GeSn高迁移率沟道晶体管,适合未来的高速和低功耗应用
机译:6.2用于高速和低功耗的Inassb高电子迁移率晶体管