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【2h】

Strain state in single quantum well GaAs/1ML-InAs/GaAs(100) analysed by high-resolution X-ray diffraction

机译：高分辨率X射线衍射分析单量子阱GaAs / 1ML-InAs / GaAs（100）中的应变态

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作者
Zheng Yun-Lin; Boulliard Jean-Claude; Capelle Bernard; Lifchitz Alain; Lagomarsino Stefano;
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年度 1998
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