首页> 外文OA文献 >Dark Count rate measurement in Geiger mode and simulation of a photodiode array, with CMOS 0.35 technology and transistor quenching.

【2h】

Dark Count rate measurement in Geiger mode and simulation of a photodiode array, with CMOS 0.35 technology and transistor quenching.

机译：采用CMOS 0.35技术和晶体管淬灭技术，可在Geiger模式下测量暗计数速率，并模拟光电二极管阵列。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

International audience

机译：国际观众

著录项

作者
Pellion D; Jradi K; Brochard N; Prêle D; Ginhac Dominique;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Readout electronics for low dark count pixel detectors based on Geiger mode avalanche photodiodes fabricated in conventional CMOS technologies for future linear colliders [J] . E. Vilella, A. Arbat, A. Comerma, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research . 2011,第1期

机译：基于传统CMOS技术制造的Geiger模式雪崩光电二极管的低暗计数像素检测器的读出电子设备，可用于未来的线性对撞机
2. Low Dark Count Geiger Mode Avalanche Photodiodes Fabricated in Conventional CMOS Technologies [J] . E. Vilella, A. Arbat, O. Alonso, Sensor Letters: A Journal Dedicated to all Aspects of Sensors in Science, Engineering, and Medicine . 2011,第6期

机译：传统CMOS技术中制造的低暗计数盖革模式雪崩光电二极管
3. Measurements and Simulations of Low Dark Count Rate Single Photon Avalanche Diode Device in a Low Voltage 180-nm CMOS Image Sensor Technology [J] . Leitner T., Feiningstein A., Turchetta R., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2013,第6期

机译：低低压180nm CMOS图像传感器技术中低暗计数率单光子雪崩二极管器件的测量和仿真
4. Low dark count rate 4H-SiC Geiger mode avalanche photodiodes operated under gated quenching at 325nm [C] . Ariane L. Beck, Xiangyi Guo, Han-Din Liu, Advanced Photon Counting Techniques; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6372 . 2006

机译：低暗计数率4H-SiC Geiger模式雪崩光电二极管在325nm的栅极猝灭下工作
5. Integration of complementary EDMOS transistors in a standard 0.35mum CMOS technology for 40V applications. [D] . Ma, Vivian Wing Yan. 2003

机译：互补的EDMOS晶体管以标准的0.35μmCMOS技术集成在40V应用中。
6. Deep Trench Isolation and Inverted Pyramid Array Structures Used to Enhance Optical Efficiency of Photodiode in CMOS Image Sensor via Simulations [O] . Chang-Fu Han, Jiun-Ming Chiou, Jen-Fin Lin 2020

机译：深沟槽隔离和倒金字塔结构用于通过仿真提高CMOS图像传感器中光电二极管的光学效率
7. Low dark count geiger mode avalanche photodiodes fabricated in conventional CMOS technologies [O] . Vilella Figueras Eva, Arbat Casas Anna, Alonso Casanovas Oscar, 2012

机译：采用传统CMOS技术制造的低暗数盖革模式雪崩光电二极管
8. Geiger-Mode Avalanche Photodiode Arrays Integrated to All-Digital CMOS Circuits. [R] . Aull, B. F. 2016

机译：Geiger模式雪崩光电二极管阵列集成到全数字CmOs电路。

Dark Count rate measurement in Geiger mode and simulation of a photodiode array, with CMOS 0.35 technology and transistor quenching.

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅