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【2h】

Modeling of Electrostatics and Drain Current in Nanoscale Double-Gate MOSFETs

机译：纳米级双栅极MOSFET中的静电和漏极电流建模

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作者
Kolberg Sigbjørn;
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年度 2007
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正文语种 eng
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1. Compact Drain-current Model For Reproducing Advanced Transport Models In Nanoscale Double-gate Mosfets [J] . M Cheralathan, C Sampedro, J B Roldán, Semiconductor science and technology . 2011,第9期

机译：紧凑的漏电流模型，用于再现纳米级双栅Mosfets中的高级传输模型
2. Analytical modeling of drain current and RF performance for double-gate fully depleted nanoscale SOI MOSFETs [J] . Rajiv Sharma, Sujata Pandey, Shail Bala Jain Journal of Semiconductors . 2012,第2期

机译：双栅完全耗尽纳米级SOI MOSFET的漏极电流和RF性能的分析模型
3. A Unified Drain Current Model for Nanoscale Double-Gate and Surrounding-Gate MOSFETs Incorporating Velocity Saturation [J] . Lining Zhang, Xingye Zhou, Yiwen Xu, Journal of nanoscience and nanotechnology . 2011,第12期

机译：结合速度饱和的纳米级双栅和栅栅MOSFET的统一漏极电流模型
4. Analytical drain current model reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate (DG) MOSFETs [C] . Cheralathan M., Sampedro C., Roldan J. B., 2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon . 2011

机译：分析漏电流模型再现了纳米级双栅（DG）MOSFET中的高级传输模型
5. Compact modeling of double-gate MOSFETs. [D] . Lu, Huaxin. 2006

机译：双栅极MOSFET的紧凑模型。
6. A quasi-ballistic drain current charge and capacitance model with positional carrier scattering dependency valid for symmetric DG MOSFETs in nanoscale regime [O] . Vyas R. Murnal, C. Vijaya 2019

机译：具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
7. Compact Modeling of the Current through Nanoscale Double-Gate MOSFETs. [O] . Holen Åsmund 2009

机译：通过纳米级双栅极MOSFET的电流的紧凑建模。

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