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【2h】

Exploring and exploiting charge-carrier confinement in semiconductor nanostructures:heterodimensionality in sub-monolayer InAs in GaAs and photoelectrolysis using type-II heterojunctions

机译:探索和利用半导体纳米结构中的载流子限制:GaAs中亚单层InAs的异质性和使用II型异质结的光电解

著录项

  • 作者

    Harrison Samuel;

  • 作者单位
  • 年度 2016
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类
  • 入库时间 2022-08-20 20:14:23

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