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【2h】

Self-Compliant Bipolar Resistive Switching in SiN-Based Resistive Switching Memory

机译：基于siN的电阻开关存储器中的自适应双极电阻开关

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Sungjun Kim; Yao-Feng Chang; Min-Hwi Kim; Tae-Hyeon Kim; Yoon Kim; Byung-Gook Park;
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年度 2017
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1. Self-Compliant Bipolar Resistive Switching in SiN-Based Resistive Switching Memory [J] . Sungjun Kim, Yao-Feng Chang, Min-Hwi Kim, Materials . 2017,第5期

机译：SIN基电阻切换存储器中的自兼容双极电阻切换
2. Power- and Low-Resistance-State-Dependent, Bipolar Reset-Switching Transitions in SiN-Based Resistive Random-Access Memory [J] . Sungjun Kim, Byung-Gook Park Nanoscale Research Letters . 2016,第1期

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3. Bipolar Resistive-Switching Phenomena and Resistive-Switching Mechanisms Observed in Zirconium Nitride-Based Resistive-Switching Memory Cells [J] . Tornil-Sin S., Siminiceanu R.I., Sung Y.M., Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on . 2013,第1期

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4. Investigation of resistive switching in bipolar TaOx-based resistive random access memory [C] . Zhuo V.Y.-Q., Jiang Y., Sze J.Y., . 2013

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6. Self-Compliant Bipolar Resistive Switching in SiN-Based Resistive Switching Memory [O] . Sungjun Kim, Yao-Feng Chang, Min-Hwi Kim, 2017

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7. Power- and Low-Resistance-State-Dependent, Bipolar Reset-Switching Transitions in SiN-Based Resistive Random-Access Memory [O] . Sungjun Kim, Byung-Gook Park 2016

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