Research on the fabrication of high performance Au nanocrystal semiconductor memory

摘要

金属纳米晶非易失性半导体存储器具有单位面积小、集成密度大、操作电压低、编程速度快、低功耗以及与现存硅技术兼容等优点，有望取代传统浮栅非易失性存储器成为下一代主流的存储器产品，因此进一步提高金属纳米晶半导体存储器的性能具有重要意义。本论文主要围绕提高Au纳米晶半导体存储器的存储能力展开研究，通过对Au纳米颗粒的尺寸、密度、分布等参数的控制及HfO2阻挡层质量的优化，制备出低功耗、大容量的Au纳米晶半导体存储器，为金属纳米晶存储器的应用打下基础。论文的主要工作内容和创新点如下： （1）采用射频磁控溅射结合快速热退火的方法在SiO2/Si结构上制备了Au纳米颗粒，研究了Au纳米颗粒形成的影响因素，...