Fabrication of ultra-thin germanium on insulator（GOI）material and its properties

摘要

摘要 GOI(Germanium-on-Insulator，GOI)材料兼具Ge材料和SOI材料的双重优点，成为极具应用前景的新型衬底材料。采用高质量的GOI材料作为衬底材料制作MOSFETs器件，可以显著提高器件中沟道电子和空穴的迁移率，降低寄生电容，从而提高器件的性能。因此，制备表面平整、晶格结构完整的GOI材料具有重要意义。 本文采用锗浓缩技术对在UHVCVD系统中外延生长得到的SOI基SiGe材料进行氧化、退火，制备出不同Ge组分的绝缘体上锗硅（SGOI）材料，并对其结构、表面形貌、光学特性等进行表征；利用制得的SOI、GOI材料探索了SOI、GOI肖特基源/漏结MOSFETs...