Si-based metal-Germanium-metal photodetector

摘要

制备响应波长在1.3和1.55μm，并具有高响应速度、高量子效率和低暗电流的高性能光电探测器，不仅是光通信技术发展的需要，也是实现硅基光电集成的需要。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数，是理想的吸收区材料；然而，III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好，机械性能较差，并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差，限制了其在光电集成技术中的应用。而SiGe材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容，应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上，因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣。本论文就是围绕Si基外延Ge探测器开展的，研制出了工作于长波长的Si基外延Ge金属-半...