Investigation of AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodiodes

摘要

摘要紫外光电探测器在航空、军事、民用等领域里具有非常重要的应用，本论文结合科研项目，进行了PIN结构紫外光电探测器的理论研究和实验制备。所做的研究工作如下：1、目前，GaN基紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN材料来制备，但是AlGaN与GaN之间晶格失配导致外延层位错密度较高，所以，我们提出用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层。2、用MOCVD系统生长了与GaN晶格基本匹配的AlInGaN材料，通过X射线衍射分析该AlInGaN材料有较高的晶体质量。结合PL谱的测量，从理论上算出了该AlInGaN材料的组分为Al0.080In0.018...