Preparation of a-SiC:H Films by PECVD and Research of Laser Annealing

摘要

碳化硅(SiC)材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、临界击穿电场高、热导率高、介电常数小、化学稳定性好等优良的物理化学性质，成为制备高温、高频、大功率及抗辐照的半导体器件的优选材料。本文介绍了碳化硅薄膜的制备方法、实验测量及激光退火研究。本文首先利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在P型Si(100)衬底上生长氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜，制备的薄膜表面均匀平整，结构致密，且与衬底粘附性好。通过改变PECVD的淀积温度和射频功率这两个参数，来分析不同工艺条件对a-SiC:H薄膜的影响。研究表明提高淀积温度，可使薄膜生长速率降低，折射率增大，结晶度提高，氢含...