Research of the theory and key technology for fabrication of the GaN-base bule violet laser diodes

摘要

宽禁带Ⅲ－Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求，是近年来光电子材料领域研究的热门课题。特别是发光波段在400～410nm的GaN基蓝紫光激光器是高密度光存储系统中最有希望的光源，因此制作蓝紫光短波长的激光器一直是人们研究的焦点，但GaN基激光器材料的生长和器件的制备方面还存在一些困难，特别是GaN基材料的P型掺杂、厚且无裂的AlGaN材料生长、高质量的P型GaN欧姆接触等。 本文针对以上一些问题并结合GaN基激光器的研制工作开展了一系列的相关的研究，比如：一维光场模拟、相关材料的生长和低P型欧姆接触的研究...