Growth and Property of High-performance AlN / GaN DBR

摘要

由于与传统边发射激光器相比，垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有发散角小、阈值电流低、功耗低、与光纤耦合效率高、自发辐射因子高、易于实现高密度二维面阵的集成和更高功率输出等诸多优点，故自1977年该概念被提出后，就迅速受到研究人员的关注，并取得一系列进展。1998年后，由于在高密度光学信息存储、激光医疗、通信、高功率光显示等领域广阔的应用前景，GaN系列的VCSEL研究成为主流。而高反射率氮化物分布布拉格反射镜（DBR）作为实现GaN基VCSEL的关键技术之一，得到了广泛的研究。目前，外延生长的高反射率DBR，如GaN/AlGaNDBR，已经在GaN基VCSEL中扮演了重要角色。由于与GaN/...