Deposition of ZnO and Al doped ZnO films by magnetron sputtering and fabrication of MSM ultraviolet photodetector

摘要

随着紫外探测技术越来越广泛地被应用于众多领域，大大推动了宽禁带半导体的发展。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在光电器件领域有着光明的应用前景，近年来已成为国际上半导体光电材料的研究热点。目前，高质量的ZnO薄膜一般是利用MOCVD或MBE在蓝宝石衬底上制备。生产成本高，限制了ZnO材料的潜在应用。而磁控溅射技术是一种简便应用广泛且技术成熟的薄膜制备技术，生产成本低廉，与集成电路平面工艺兼容性好，通过调节磁控溅射的工艺参数制备出高质量的ZnO薄膜是很有意义的工作。同时ZnO具有良好的抗高能射线辐射能力，相比其它宽禁带半导体在制作紫外探测器方面具有独特的优势。本论文主要工作是研究如何利用简便...