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Electronic structures and thermoelectric properties of several wide-band-gap semiconductors

机译:几种宽带隙半导体的电子结构和热电性能

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摘要

由于化石能源的飞速消耗以及人类在应用化石能源过程中造成的环境污染,开发清洁可持续的新能源成为研究热点,热电作为新能源开发中的一员,在研究中遇到的主要问题是材料的热电转换效率难以提高。本文的主要工作是以第一性原理为基础,以SiC,GaN,ZnO等几种宽禁带半导体为对象,研究宽禁带半导体材料结构变化与其热电效率高低的关系。通过Quantumespresso和WIEN2k计算材料的电子结构,再用Boltztrap软件计算材料的热电性质,我们可以比较不同结构的同种化合物热电性质的变化情况,并找出定性的规律,为实验人员提供理论支持。 第一部分的工作主要内容是研究Ⅱ-Ⅵ族化合物(ZnO),Ⅲ-Ⅴ族化合物...
机译:由于化石能源的飞速消耗以及人类在应用化石能源过程中造成的环境污染,开发清洁可持续的新能源成为研究热点,热电作为新能源开发中的一员,在研究中遇到的主要问题是材料的热电转换效率难以提高。本文的主要工作是以第一性原理为基础,以SiC,GaN,ZnO等几种宽禁带半导体为对象,研究宽禁带半导体材料结构变化与其热电效率高低的关系。通过Quantumespresso和WIEN2k计算材料的电子结构,再用Boltztrap软件计算材料的热电性质,我们可以比较不同结构的同种化合物热电性质的变化情况,并找出定性的规律,为实验人员提供理论支持。 第一部分的工作主要内容是研究Ⅱ-Ⅵ族化合物(ZnO),Ⅲ-Ⅴ族化合物...

著录项

  • 作者

    黄政;

  • 作者单位
  • 年度 2016
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh_CN
  • 中图分类

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