Investigation of copper precipitation in heavily boron- doped Czochralski silicon p/p+ epitaxial wafers

摘要

半导体材料作为集成电路的基础，地位十分重要。重掺杂硅单晶的应用范围广，性质优良。但是重掺硼硅片不能通过传统的热处理得到洁净区（DZ），但是外延片的结构就可以弥补这一缺点，获得洁净区。闩锁效应和软失效是微电子工业中常见的问题，利用外延结构就可方便快捷地解决这一难题。铜具有非常优良的导电性，在集成电路中，如果使用铜就会大大提高其运算速度，并且提高散热效率，但是也会给硅片带来铜污染的危险，然而对铜沉淀在外延片中的形成机理的研究有待进一步深入。所以对重掺硼单晶硅p/p+外延片来说，很有必要探究铜在其中的沉淀行为，此类研究的学术价值以及工业价值均较高。本文借助腐蚀法和光学显微镜等测试设备，得出如下一些结...