首页> 美国政府科技报告 >Nsia-Ardc Conference on Molecular Electronics, November 13-14, 1958, Washington, D. C. (1958) 105p. 74 refs. Ardc-Tr-59-17;AD-211 691
【24h】

Nsia-Ardc Conference on Molecular Electronics, November 13-14, 1958, Washington, D. C. (1958) 105p. 74 refs. Ardc-Tr-59-17;AD-211 691

机译:Nsia-ardc分子电子学会议,1958年11月13日至14日,华盛顿,D。C.(1958)105p。 74 refs。 ardc-Tr-59-17; aD-211 691

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摘要

STIMULATED EMISSION OF RADIATIONnPARAMAGNETIC EFFECTSnTWO-LEVEL SOLID-STATE MASERSnFERRITE AMPLIFICATIONnPARAMETRIC AMPLIFICATION ON ELECTRON BEAMSnNON-LINEAR CAPACITANCE AMPLIFIERSnTHERMOELECTRIC EFFECTSnSOLID STATE ELECTRONICSnTHE THREE LEVEL MASERnRUBY MASERnGENERAL CONSIDERATIONS IN RESEARCH AND DEVELOPMENTnPARAMAGNETIC RELAXATION IN CRYSTALS AT LOW TEMPERATURESnMASER PRSGRAM OF U.S. ARMY SIGNAL RESEARCH AND DEVELOPMENT LABORATORY (USASRDL)nSOLID-STATE MASERS-DESIGN AND PERFORMANCEnPROSPECTS FOR MILLIMETER WAVE GENERATION BY SIGNAL CONVERSION IN FERRIMAGNETIC MATERIALSnMULTIPLE-FREQUENCY PARAMETRIC DEVICESnCRYSTAL PROCESSING FOR AMPLIFICATION

著录项

  • 作者

  • 作者单位
  • 年度 1958
  • 页码 1-108
  • 总页数 108
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工业技术;
  • 关键词

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