Oxidation; Silicon dioxide; High pressure; Water vapor; Vapor deposition; Burners; Volatility; Vapor pressure; Time dependence; Thickness; Reaction kinetics;
机译:氩气水蒸气低局部压力大容量氧化行为
机译:后氧化退火对高压水蒸气氧化的SiO_2 / SiC金属氧化物半导体电容器的电和界面性能的影响
机译:4H-SiC无损干磨结合常压水蒸气等离子体氧化
机译:高压水蒸气环境中SiC的氧化速率
机译:I.水和百万分之二氧化氮浓度之间汽相反应的速率和机理。二。水蒸气存在下百万分之一浓度的一氧化氮的空气氧化机理
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:水蒸气环境中SIC-SIC复合材料的降解
机译:高压水汽环境中siC的氧化速率