机译:用光诱导载流子微波吸收法测量少数载流子的寿命
机译:少数型载体生成氧化物半导体的寿命评价
机译:识别非理想半导体中真正的少数载流子寿命:以Kesterite材料为例
机译:通过表面光电压技术确定载流子寿命不均匀的半导体晶片中的少数载流子扩散长度
机译:量子效率和少数载体寿命测量的微波仪表和传感技术
机译:用于非接触氧化过程表征和炉分析的少数载流子寿命测量
机译:确定非理想半导体中的实际少数载流子寿命:以Kesterite材料为例
机译:半导体少数载流子寿命测量的双折射弛豫。总结报告