Zur Aenderung der elektrischen Eigenschaften von Silizium-und Germanium-Dioden bei Neutronen-Bestrahlung

摘要

Werden Halbleiterbauelemente mit Neutronen bestrahlt, so erfolgt eine Aenderung ihres elektrischen Verhaltens durch strahlungsbedingte Aende-rung der Volumen- und Oberflächeneigenschaften. Der Einfluß auf das Halbleitervolumen ist überschaubar:durch Stoßwechselwirkung der schnel-len Neutronen mit den Gitteratomen bzw.