Development of a Diffuse Element Matrix in ''Planar'' Technology. A Particular Application - Logical Gate with Coupled Emitter

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• 作者

  Rousseau, P.;

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• 作者单位

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• 年度 1968
• 页码 1-19
• 总页数 19
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 工业技术;
• 关键词

  Gates (circuits) ; Integrated circuits ; Silicon transistors ; Acceptor materials ; Bibliographies ; Computation ; Crystal defects ; Donor materials ; Electron diffusion ; Fabrication ; Figure of merit ; Impurities ; Insulation ; Logic circuits ; N-type semiconductors ; P-type semiconductors ; Photoengraving ; Silicon ; Silicon dioxide ; Theses;

  机译：门（电路）;集成电路;硅晶体管;受体材料;参考书目;计算;晶体缺陷;供体材料;电子扩散;制造;品质因数;杂质;绝缘;逻辑电路; N型半导体; p型半导体;光刻;硅;二氧化硅;论文;
• 入库时间 2022-08-29 11:40:06