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【24h】

UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL POUR L'AMPLIFICATION D'IMPULSIONS NANOSECONDES

机译:利用DE La DIODE TUNNEL pOUR L'ampLIFICaTION D'ImpULsIONs NaNOsECONDEs

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摘要

Les événements nucléaires détectés à partir de chambres à fission ou de jonctions à semi-comlucteur apparaissent sous forme d'impulsions électriques à temps de montée très bref, de l'i -dre de la nanoseconde avec une distribution d'amplitude qui s'étend de quelques μV à 1 mV/50 :ne traitement de ces impulsions débute toujours par une amplification analogique réalisée par des transistors rapides placés immédiatement après le détecteur. La caractéristique essentielle du préamplificateur est une grande rapidité de réponse, mais il doit présenter aussi un excellent rapport signal/bruit.nParmi les dispositifs à faible bruit, on peut sélectionner certains transistors bi¬polaires pour leur gain en courant élevé à faible courant collecteur;on peut aussi choisir des transistors à effet de champ, mais leur capacité d'entrée est très importante et leur transcon-ductance encore trop faible, pour concurrencer en impulsions rapides les transistors bipolaires à faible bruit.

著录项

  • 作者

    Pierre CHARTIER;

  • 作者单位
  • 年度 1970
  • 页码 1-105
  • 总页数 105
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 fre
  • 中图分类 工业技术;
  • 关键词

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