首页> 美国政府科技报告 >ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕАКЦИИ 10В(n,a)7Li ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОБЕГА ИОНОВ БОРА ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В КРЕМНИЙ
【24h】

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕАКЦИИ 10В(n,a)7Li ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОБЕГА ИОНОВ БОРА ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В КРЕМНИЙ

机译:使用10B反应(n,a)7Li测定硅中注入的硼离子的运行

获取原文

摘要

При изготовлении полупроводников из Si в качестве примесного элемента р -типа широко используется бор. В последнее время для его введения в образец начали применять метод ионной имплантации. Определение зависимости пробега от энергии имплантируемых ионов имеет важное значение при проектировании и изготовлении полупроводниковых приборов.

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号