Infrared detectors; Heterojunctions; Theses; Crystal lattices; Gallium arsenide; Aluminium gallium arsenide; Photocurrent cancellation; Split-off band photodetectors; Barrier asymmetry; Photoemission modeling;
机译:在GaAs量子阱中引入了用于极性光子的薄InAs势垒的结果,两势垒AlGaAs / GaAs / AlGaAs异质结构中的电子迁移率增加
机译:带有二维电子和空穴通道的AlGaAs / GaAs双异质结构的光电流和光致发光特性
机译:具有一对二维电子和孔通道的AlGaAs / GaAs双异质结构的光电流和光致发光特性
机译:具有电流阻挡层的p-GaAs / AlGaAs异质结构的中红外检测
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:具有电流阻挡屏障的p-Gaas / alGaas异质结构中的中红外检测