Electron diffraction; Molecular beam epitaxy; Crystal structure; Monte carlo method; Russia; Oscillation; Component report; Foreign reports; Kossel crystals;
机译:基于MBE生长表面反射率的RHEED强度振荡模型
机译:通过RF-MBE在替代源供应ALN增长中的氮气供应下的多循环Rheed振荡
机译:通过RF-MBE在替代源供应ALN增长中的氮气供应下的多循环Rheed振荡
机译:生长温度对Si(111)表面Si和Ge的MBE过程中RHEED振荡周期的影响
机译:通过同时使用原位反射高能电子衍射(RHEED)和反射电子能量损失谱(REELS)来表征MBE生长的金属,半导体和超导体薄膜和界面
机译:在特高压MBE腔室中制备的Si(001)清洁表面上的相变:通过高分辨率STM和原位RHEED进行的研究
机译:通过RHEED振荡分析MBE生长的(001)GaAs的表面化学计量和形态