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Raman Study of Phonon-Plasmon Coupling Modes in Tunnelling GaAs/AlAs SLs, Grown on (311) and (001) Surfaces.

机译：在（311）和（001）表面上生长的隧道Gaas / alas sLs中声子 - 等离子体耦合模式的拉曼研究。

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作者
Volodin, V. A.; Efremov, M. D.; Sachsov, V. A.; Preobrazhenski, V. V.; Semyagin, B. R.;
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作者单位

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年度 2001
页码 1-4
总页数 4
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Tunneling(Electronics); Superlattices; Coupling(Interaction); Gallium arsenides; Surface properties; Russia; Aluminum arsenides; Phonons; Plasmons; Raman spectra; Molecular beam epitaxy; Component report; Foreign reports; Phonon plasmon coupling;

机译：隧道（电子）;超晶格;耦合（相互作用）;砷化镓;表面性质;俄罗斯;砷化铝;声子;等离子体;拉曼光谱;分子束外延;组件报告;外国报道;声子等离子体耦合;

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Raman Study of Phonon-Plasmon Coupling Modes in Tunnelling GaAs/AlAs SLs, Grown on (311) and (001) Surfaces.

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