Stabilization of Indium-Rich In1-xGaxN Heterostructures: The Exploration of a Common Processing Window.

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• 作者

  Dietz, N.;

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• 作者单位

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• 年度 2015
• 页码 1-33
• 总页数 33
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Gallium nitrides; Chemical vapor deposition; Indium compounds; Layers; Stabilization; Temperature; Group iii-nitride alloys; Indium gallium nitrides; Super-atmospheric hpcvd(high pressure chemical vapor deposition); Thin film deposition; Reactor pressure;

  机译：氮化镓;化学气相沉积;铟化合物;层;稳定化;温度;第III族氮化物合金;氮化铟镓;超大气压hpcvd（高压化学气相沉积）;薄膜沉积;反应器压力;