Semiconductor devices; Near infrared radiation; Light emitting diodes; Emission; Optical detection; Quantum theory; Indium gallium arsenides; Taiwan; Silicon; Heterojunctions; Light;
机译:具有p型接触栅几何形状的中红外AllnSb发光二极管的发射增强
机译:纳米和微结构无规共聚物改性的环脂族环氧树脂,用作发光二极管封装
机译:独立的拉伸应变锗纳米膜发光二极管增强的电致发光
机译:拉伸应变的GeSn中红外光发射器
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:AlGaN基纳米棒紫外发光二极管结构中光提取效率的大幅提高
机译:二氧化碳中红外Inassb谐振腔发光二极管的电致发光增强用于CO2检测
机译:使用金属有机化学气相沉积生长中红外发射Inassb / Inasp应变层超晶格