Detectors; Emitters; Nanostructures; Photodiodes; Pin diodes; Silicon; Electric current; Fabrication; Gold; Intermediate infrared radiation; Light emitting diodes; Numerical analysis; Plasmons; Semiconductors; Electronic materials; Pe61102f;
机译:电泵浦SiGeSn / GeSn / SiGeSn双异质结构中红外激光器的设计
机译:基于多体理论的中红外硅基光源GeSn / SiGeSn量子阱的材料增益分析
机译:基于GeSn异质结构的发光二极管对中红外应用的系统研究
机译:单片集成在硅上的中红外GeSn / SiGeSn激光器和光电探测器
机译:用于集成中红外光子的非平衡Sigesn组IV异质结构和纳米线
机译:AlN /金刚石异质结构中基于硅空位中心的明亮单光子发光二极管
机译:基于多体理论的中红外硅基光源GeSn / SiGeSn量子阱的材料增益分析