TRANSISTORS ; SILICON ; PRODUCTION ; EPITAXIAL GROWTH ; RELIABILITY (ELECTRONICS) ; PERFORMANCE (ENGINEERING) ; PROCESSING ; BORON ; PHOSPHORUS ; DIFFUSION ; ELECTRIC WIRE ; BONDING ; ENCAPSULATION ; QUALITY CONTROL ; LIFE EXPECTANCY ; MANAGEMENT ENGINEERING;
机译:N P N硅外延平面晶体管的工艺引入的结构缺陷和结特性
机译:使用跨硅-锗/硅外延薄膜的栅极控制隧穿的异质结隧穿晶体管
机译:使用两步提升硅外延工艺的薄型(100)Channe绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的电学特性和晶体质量分析
机译:高压,中功率硅平面外延开关晶体管
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:缩回:将类似外延的Pb(ZrTi)O3薄膜集成到硅中用于下一代铁电场效应晶体管
机译:基于GaAs外延层对微系统应用的GaAs外延层的肖特基场晶体管电神法诊断的特征
机译:生产工程措施。生产硅平面外延晶体管,最大工作故障率为每1000小时0.001%,置信水平为90%,25c