Gallium nitrades; Power electronics; Semiconductors; Accelerated testing; Reliability; Molybdenum; Chromium; Metal-semiconductor junctions;
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:评论“与低温生长的盖层的n型氮化镓的金属接触的肖特基势垒高度” [Appl。物理来吧88,032103(2006)]
机译:离子注入高压垂直氮化镓伪结势垒肖特基二极管
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:垂直N型氮化镓肖特基接触的特性和可靠性